Intel verdubbelt capaciteit NOR-flashgeheugen

Geheugen gsm-toestellen flink uitgebreid

04 april 2006 | Nico Vandenabeele Intel verdubbelt de opslagcapaciteit van zijn NOR-flashgeheugenchips tot 1 GB. De nieuwe geheugenchips zijn de eerste op basis van de 65-nanometer technologie.

Proefexemplaren van Intels eerste 65-nanometer NOR-flashgeheugenchips zullen tegen het einde van dit kwartaal beschikbaar komen. Gsm-fabrikanten kunnen de nieuwe geheugenchips eind 2006 op grote schaal toepassen, verklaarde Brain Harrison, hoofd van de flashgeheugendivisie van Intel.

De nieuwe flashgeheugenchip kan 1 GB gegevens opslaan, waar dat bij de huidige 90-nanometer flashgeheugenchips 512 MB is. Dankzij Intels stacking-technologie zal het bedrijf 2 GB NOR-flashgeheugenchips kunnen aanbieden. Bij de overstap naar 45-nanometer productietechnieken moet Intel in staat zijn om op grote schaal chips met een capaciteit van 2 GB te produceren, aldus Harrison.

Flashgeheugen wordt toegepast in mobiele telefoons, pda's, mp3-spelers en andere draagbare apparaten. Het heeft als voordeel dat het ook zonder elektrische spanning gegevens kan bewaren. Bovendien bevat het opslagmedium geen kwetsbare bewegende onderdelen, in tegenstelling tot (kleine) harde schijven.

NOR-flashgeheugen geniet traditioneel de voorkeur van gsm-fabrikanten omwille van zijn betrouwbaarheid en beperkte leestijden. De concurrerende technologie NAND-flashgeheugen is echter aan een opmars bezig, onder meer dankzij een hogere opslagcapaciteit en snellere schrijfsnelheden. NAND-flashgeheugen wordt vaak gebruikt voor mp3-spelers, zoals de Apple iPod nano. Intel produceert zelf ook NAND-flashgeheugen, in een joint-venture met Micron Technology.

Met een bijdrage van Tom Krazit, News.com Lees meer artikels over : intel, flash, geheugen, geheugenchip, nor

bron: ZDNet