Intel stelt toekomst traditionele chiptechnologie veilig

Efficiënter materiaal voor gebruik in processoren

05 november 2003 | Joost Blokzijl Onderzoekers van Intel gaan een nieuw materiaal in chips en processoren gebruiken dat hitte-afgifte en stroomverbruik in transistoren vermindert. Het materiaal, ?high-k?, vervangt het al dertig jaar gebruikte ?silicon dioxide?. Intel denkt dat vooral nieuwe, nog in ontwikkeling zijnde, processoren gaan profiteren van de vinding.

Door de efficiëntere transistoren op de processor kan deze beter presteren met minder stroom en warmteafgifte. Het stroomverbruik en de vrijkomende warmte zijn bij snelle processoren vooral een probleem in notebooks.

Het nieuwe materiaal wordt gebruikt in twee onderdelen van een transistor, de ?gate dielectric? en de ?transistor gate?. Deze laatste is het deel van de processor dat bepaald of deze aan of uit staat, de dielectric is de isolatie (insulator) vlak onder dit onderdeel. Door gebruik van het nieuwe materiaal, high-k, is dit onderdeel van een transistor, waarvan er honderdduizenden op een processor zitten, 100 maal efficiënter.

Intel laat in een verklaring weten dat het door de vinding de Wet van Moore, die ieder anderhalf jaar een verdubbeling van het aantal transistoren op een chip voorspelt, nog steeds kan handhaven. De onderzoekers waren al jaren bezig met het zoeken naar een alternatief voor ?silicon dioxide?, omdat het materiaal zijn fysieke grenzen naderde.

De eerste processoren met het nieuwe materiaal aan boord liggen pas in 2007 in de winkel en komen dan voort uit Intels 45nm-productieproces. Lees meer artikels over : intel, transistoren, processor

bron: ZDNet